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超LSI技術 17 デバイスとプロセス その7
工業調査会 半導体研究振興会 西沢潤一
本書では、微細化、高集積化に向けた各プロセスを基礎から見直し、今後の開発方向を考えることを目的とした。
1 赤外線イメージセンサ技術2 デバイスシミュレーション技術3 UHV‐CVDによるGexSi1−x選択成長およびHSG‐poly Siの形成4 複合磁場によるECRエッチング技術5 マグネトロンエッチング技術6 低ダメージ・低欠陥ドライエッチプロセス7 Al配線のストレスマイグレーション8 タングステンCVDを用いた微細配線形成技術9 CZ‐Si結晶中の軽元素不純物の挙動10 分子線散乱法による表面反応解析
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1位
又吉直樹
価格:1,320円(本体1,200円+税)
【2015年03月発売】
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[BOOKデータベースより]
本書では、微細化、高集積化に向けた各プロセスを基礎から見直し、今後の開発方向を考えることを目的とした。
1 赤外線イメージセンサ技術
2 デバイスシミュレーション技術
3 UHV‐CVDによるGexSi1−x選択成長およびHSG‐poly Siの形成
4 複合磁場によるECRエッチング技術
5 マグネトロンエッチング技術
6 低ダメージ・低欠陥ドライエッチプロセス
7 Al配線のストレスマイグレーション
8 タングステンCVDを用いた微細配線形成技術
9 CZ‐Si結晶中の軽元素不純物の挙動
10 分子線散乱法による表面反応解析