電子デバイス入門

実用理工学入門講座　

日新出版
室英夫　脇田和樹　阿武宏明　

• 価格: 1,870円（本体1,700円＋税）
• 発行年月: 2009年04月
• 判型: Ａ５
• ISBN: 9784817302373

内容情報

[BOOKデータベースより]

第１章　半導体の物理（半導体シリコンの結晶構造とエネルギー帯；半導体のキャリア密度；半導体の電気伝導）
第２章　ｐｎ接合ダイオード（ｐｎ接合ダイオードの構成と動作原理；ｐｎ接合ダイオードの電流‐電圧特性；ｐｎ接合ダイオードの容量特性）
第３章　バイポーラ・トランジスタ（バイポーラ・トランジスタの構成と動作原理；バイポーラ・トランジスタの電流増幅；バイポーラ・トランジスタの静特性）
第４章　ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴの構成；ＭＯＳ構造の動作；はんてんじょうたいの電荷特性としきい値電圧；ＭＯＳ構造の容量特性；ＭＯＳＦＥＴの静特性；ＣＭＯＳの構造と動作）