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半導体プロセス技術

半導体工学シリーズ 9

培風館
丹呉浩侑 

価格
6,380円(本体5,800円+税)
発行年月
1998年11月
判型
A5
ISBN
9784563032982

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内容情報
[BOOKデータベースより]

本書は、現在のLSIの基幹を成しているSi MOS LSIプロセスを中心に記述したものである。これからこの分野の勉強を始めようとする学生・大学院生、あるいは技術者のため、半導体プロセスに関する理論と技術をできる限り整理し、基礎的事項を学べるようにまとめた。まず、MOS LSIの基本素子であるMOSトランジスタの基本的知識とMOSトランジスタなどの素子の製作に必要なプロセスモジュールを概観した後、リングラフィ、エッチング、不純物導入技術などからプロセス評価技術まで、個々の要素プロセスの内容を体系的かつ詳細に記述している。

1 基本素子の動作機構と製作プロセス
2 プロセスモジュールと製作プロセス
3 リソグラフィ
4 エッチング技術
5 絶縁膜技術
6 不純物導入技術
7 薄膜堆積技術
8 ウェーハ清浄化技術
9 結晶・ウェーハ技術
10 プロセスシミュレーション
11 半導体プロセス評価技術

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