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超LSI技術 16 デバイスとプロセス その6
工業調査会 半導体研究振興会 西沢潤一
第36巻は超LSIシリーズの16巻目に当たり、微細化、高集積化により3次元的に複雑になるデバイス構造に対して生じる諸問題について基礎から見直し、今後の開発の方向について考える。
1 64M DRAM技術2 不揮発性メモリ技術3 超高速バイポーラデバイスの現状と将来4 3次元形状シミュレーション5 サイクロトロンSEMによる高アスペクト比デバイスの観察6 位相シフト法を用いた光リソグラフィ技術7 有機シリコン系CVD技術8 低温ダメージダウンフローアッシング9 シリコン自然酸化膜の成長機構パネルディスカッション
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1位
又吉直樹
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[BOOKデータベースより]
第36巻は超LSIシリーズの16巻目に当たり、微細化、高集積化により3次元的に複雑になるデバイス構造に対して生じる諸問題について基礎から見直し、今後の開発の方向について考える。
1 64M DRAM技術
2 不揮発性メモリ技術
3 超高速バイポーラデバイスの現状と将来
4 3次元形状シミュレーション
5 サイクロトロンSEMによる高アスペクト比デバイスの観察
6 位相シフト法を用いた光リソグラフィ技術
7 有機シリコン系CVD技術
8 低温ダメージダウンフローアッシング
9 シリコン自然酸化膜の成長機構
パネルディスカッション