ここまできたイオン注入技術

超ＬＳＩプロセスのリード役
Ｋ　ｂｏｏｋｓ　ｓｅｒｉｅｓ　７９

工業調査会
布施玄秀　平尾孝　

• 価格: 1,923円（本体1,748円＋税）
• 発行年月: 1991年06月
• 判型: Ｂ６
• ISBN: 9784769360803

内容情報

[BOOKデータベースより]

本書は、イオン注入技術の基礎とデバイス応用、装置について読み易いように項目ごとに解説している。

イオン注入の基礎（１つのイオンが引き起こす数百個〜数千個の衝突；欠陥の行き着く先はアモルファス；重いイオンの注入では、すぐに非晶質化；非晶質化の促進、冷却注入　ほか）
デバイス応用（ＬＳＩの基本はｐｎ接合；注入量と抵抗値は逆相関；リーク電流に及ぼす欠陥；高温で熱処理すれば下がるリーク電流　ほか）
イオン注入装置（最初から変わらない基本構造；加速管で減速することも；注入機の中は高真空；３種類ある装置　ほか）