半導体デバイス

電気・電子工学大系　１３

コロナ社
生駒俊明　勝部昭明　

• 価格: 4,070円（本体3,700円＋税）
• 発行年月: 1989年06月
• 判型: Ａ５
• ISBN: 9784339003185

内容情報

[BOOKデータベースより]

半導体の電気的特性（結晶構造；エネルギー帯構造；格子振動；電子・正孔の密度；キャリヤの輸送と電気伝導；デバイス解析の基本方程式）
ダイオード（ショットキー接合；オーム接触；ｐｎ接合；マイクロ波ダイオード）
ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳ構造の物理；ＭＯＳトランジスタの動作原理と特性；ＭＯＳ集積回路デバイス）
接合形電界効果トランジスタ（Ｊ　ＦＥＴの動作特性；ショットキーゲート電界効果トランジスタ縦形ＦＥＴ）
バイポーラトランジスタ（構造と動作原理；スイッチ動作と増幅作用；トランジスタの動作解析モデル；トランジスタの諸効果と動作限界；バイポーラ論理回路）
ヘテロ接合デバイス（ヘテロ接合の概念；混晶；ヘテロ接合のバンド不連続；二次元電子ガス；超格子；ヘテロ接合バイポーラトランジスタ；高移動度トランジスタ；量子井戸レーザ）
光半導体デバイス（光の吸収と発光；半導体レーザ；発光ダイオード；受光デバイス；太陽電池）
そのほかの半導体デバイス（サイリスタ；撮像素子；センサ）