半導体研究 ２６

超ＬＳＩ技術　１１　

工業調査会
半導体研究振興会　 西沢潤一

• 価格: 18,700円（本体17,000円＋税）
• 発行年月: 1987年08月
• 判型: Ｂ５
• ISBN: 9784769310617

内容情報

[BOOKデータベースより]

本巻は高速バイポーラデバイス技術、バイポーラＣＭＯＳ混載技術、微細ＭＯＳ技術をはじめとして、今後の超ＬＳＩ用技術として大いに期待される光励起プロセスや超高分解能走査形電子顕微鏡、さらには高分解能電子エネルギー損失分光に至るまで、基礎から応用に渡って幅広く検討する。

１．　高速バイポーラデバイス技術
２．　バイポーラＣＭＯＳ混載技術
３．　サブミクロンＭＯＳのシミュレーション
４．　微細ＭＯＳＦＥＴのホットキャリア効果
５．　ＳＯＩ技術
６．　超高分解能走査形電子顕微鏡
７．　レーザ誘起光化学プロセスの基礎過程
８．　ＳＯＲ光励起光化学反応と半導体プロセスへの応用
９．　高分解能電子エネルギー損失分光（ＨＲＥＥＬＳ）による単結晶清浄表面と気体分子との相互作用