半導体の酸化機構と酸化膜

近代科学社Ｄｉｇｉｔａｌ 近代科学社
応用物理学会半導体分野将来基金委員会　

• 価格: 6,380円（本体5,800円＋税）
• 発行年月: 2026年02月
• 判型: Ｂ５
• ISBN: 9784764907799

内容情報

[BOOKデータベースより]

第１部　序論（Ｓｉの熱酸化機構とＳｉＯ２特性）
第２部　ゲートスタック（絶縁特性高信頼化とともに進む熱酸化技術―物理的理解と信頼性；ＳｉＣ　ＭＯＳ；ＳｉＧｅの参加とＭＯＳ界面特性）
第３部　酸化過程および酸化膜解析（Ｓｉ酸化の素過程；チャージポンピング法で見たＳｉ／ＳｉＯ２界面欠陥；ＥＳＲ分光でみる界面欠陥：ＳｉとＳｉＣ；共鳴核反応法による酸化膜中の水分析）
第４部　酸化機構（第一原理計算から見たＳｉの酸化機構；Ｓｉ酸化の速度論；ＳｉＣの表面酸化機構と酸化に伴う表面現象の理解；ＳｉＣ酸化の速度論；Ｇｅの酸化）

[日販商品データベースより]

酸化は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つです。本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。半導体デバイスをこれから学ぼうとする方はもちろん、すでに本分野の研究活動にたずさわっている方、また本領域を専門としない半導体技術のプロの方にも，酸化の奥深さと面白さを味わっていただくことができます。