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【2023年09月発売】
[BOOKデータベースより]
初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。
序章
[日販商品データベースより]デバイス物理の基礎
MOSFETデバイス
CMOSデバイス設計
CMOS性能因子
バイポーラデバイス
メモリデバイス
SOIデバイス〔ほか〕
半導体分野での世界的権威による最新半導体のバイブル。初版より、すべての章が加筆改訂され、さらに新たな2つの章を追加。電子デバイスに携わる技術者、研究者、学生の必携の1冊。