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日刊工業新聞社 松波弘之 大谷昇 木本恒暢 中村孝
1 シリコンカーバイド(SiC)技術の進展2 SiCの特徴3 SiC単結晶の結晶成長技術4 SiC単結晶のウェハ加工技術5 SiCエピタキシャル成長技術6 SiCの評価技術7 SiCのプロセス技術8 デバイス9 SiCを用いたシステム10 各分野におけるSiCへの期待
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1位
又吉直樹
価格:1,320円(本体1,200円+税)
【2015年03月発売】
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[BOOKデータベースより]
1 シリコンカーバイド(SiC)技術の進展
2 SiCの特徴
3 SiC単結晶の結晶成長技術
4 SiC単結晶のウェハ加工技術
5 SiCエピタキシャル成長技術
6 SiCの評価技術
7 SiCのプロセス技術
8 デバイス
9 SiCを用いたシステム
10 各分野におけるSiCへの期待