最新ＶＬＳＩの基礎

Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　ｄｅｖｉｃｅｓ．

丸善出版
ユアン・タウア　タック・Ｈ．ニン　芝原健太郎　竹内潔　

• 価格: 8,580円（本体7,800円＋税）
• 発行年月: 2002年09月
• 判型: Ａ５
• ISBN: 9784621070833

内容情報

[BOOKデータベースより]

本書は、半導体分野での世界的権威、Ｔａｕｒ，Ｎｉｎｇが最新ＶＬＳＩデバイスの基礎についてまとめた名著“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”の翻訳。ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。事前に必要とされる予備知識は、固体物理と半導体物理の入門的知識のみである。電気・電子工学分野の大学学部高学年から大学院の教科書、技術者・研究者にとっては知識を体系的に再整理する参考書、として最適。最先端デバイスの設計と最適化に必要な基礎〜応用までを展開。

デバイス物理の基礎
ＭＯＳＦＥＴデバイス
ＣＭＯＳデバイス設計
ＣＭＯＳ性能因子
バイポーラデバイス
バイポーラデバイス設計
バイポーラ性能因子
ＣＭＯＳプロセスフロー
最近のｎｐｎバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
実効状態密度
アインシュタインの関係式
なだれ降伏の開始条件
サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
弱反転での量子学解
エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
真性ベース抵抗

[日販商品データベースより]

ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。教科書または、知識を再整理する参考書として最適な１冊。