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半導体研究 46巻

超LSI技術 24 デバイスとプロセス その14

工業調査会
半導体研究振興会  西沢潤一

価格
23,100円(本体21,000円+税)
発行年月
2000年05月
判型
B5
ISBN
9784769311867

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内容情報
[BOOKデータベースより]

集積回路技術が急速に進歩し、0.1μmの最小加工寸法をもつ集積回路の実現も間近に迫っていることから、本巻では、0.1μm時代へ向けてのプロセス、デバイス、回路技術という視点から0.1μm集積回路実現の鍵を握ると思われる重要技術を取り上げ、研究開発の現状と実用化の可能性について言及している。

本文(高速低消費電力部分空乏型SOI‐CMOS技術;極浅接合形成技術;二次宇宙線の中性子が引き起こすソフトエラー;高速DRAM設計技術;DRAM・論理混載LSIアーキテクチャ;DRAM混載LSI技術;ArFレーザ露光技術(露光装置;フォトレジスト材料);高精度プラズマエッチング技術)
パネルディスカッション

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