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超LSI技術 18 デバイスとプロセス その8
工業調査会 半導体研究振興会 西沢潤一
1 サブ0.1μmMOSFETの特性と電気伝導機構2 0.1ミクロンCMOS技術3 0.1μmMOSFETにおける短チャネル効果とその制御4 NAND型メモリ5 薄膜SOI MOSFET技術6 ウェハ張り合わせSOI技術7 ゲート酸化膜の構造と長期信頼性8 界面制御による多層配線の信頼性9 金属‐Si界面の結晶学的・電子的構造とコンタクト抵抗
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[BOOKデータベースより]
1 サブ0.1μmMOSFETの特性と電気伝導機構
2 0.1ミクロンCMOS技術
3 0.1μmMOSFETにおける短チャネル効果とその制御
4 NAND型メモリ
5 薄膜SOI MOSFET技術
6 ウェハ張り合わせSOI技術
7 ゲート酸化膜の構造と長期信頼性
8 界面制御による多層配線の信頼性
9 金属‐Si界面の結晶学的・電子的構造とコンタクト抵抗