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超LSI技術 13 デバイスとプロセス その3
工業調査会 半導体研究振興会 西沢潤一
1 大容量MOSDRAMプロセス技術―現状と今後の課題2 メガヒットDRAM回路技術3 薄いシリコン酸化膜とその界面の構造4 タングステン選択CVD技術5 微細Al配線の信頼性6 微細コンタクト技術の基礎としての金属/半導体界面7 選択エピタキシャル成長におけるファセットと積層欠陥の発生機構8 集束イオンビーム技術9 プラズマプロセスにおけるイオン・ラジカルの診断と制御
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価格:1,320円(本体1,200円+税)
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[BOOKデータベースより]
1 大容量MOSDRAMプロセス技術―現状と今後の課題
2 メガヒットDRAM回路技術
3 薄いシリコン酸化膜とその界面の構造
4 タングステン選択CVD技術
5 微細Al配線の信頼性
6 微細コンタクト技術の基礎としての金属/半導体界面
7 選択エピタキシャル成長におけるファセットと積層欠陥の発生機構
8 集束イオンビーム技術
9 プラズマプロセスにおけるイオン・ラジカルの診断と制御