超高速ディジタルデバイス・シリーズ ２

超高速ＭＯＳデバイス　

培風館

• 価格: 10,340円（本体9,400円＋税）
• 発行年月: 1986年02月
• 判型: 規格外
• ISBN: 9784563034207

内容情報

[BOOKデータベースより]

本書は，超ＩＳＩ，超々ＬＳＩの中心技術であるＭＯＳデバイスについて，超高速化，高性能化の観点に立って，基本事項から応用に致る広範な内容を体系的に，かつ詳細に記述した総合的解説書である。東芝の研究技術陣が，最先端の技術と知識を含め，徹底的に解説している。ＭＯＳデバイスの基本思想，歴史的発展の概観からはじめ，基礎となる動作理論，物理的性質を述べる。サブミクロン領域への挑戦も含んだプロセス技術，ＣＡＤ技術，論理およびメモリ回路の基本から高速化をめざした具体的回路設計の例まで数多くのデータと図を用いて説明する。特にＭＯＳデバイスの高速化を，単に単体デバイスあるいは回路要素のみでなく，システムレベルでの高速化，高性能化という視点に立って解説する。最後に３次元ＬＳＩなど，将来動向と課題について考察する。

ＭＯＳデバイスの基礎と物理
基本プロセス技術
ＭＯＳデバイスのプロセス構成法
シュミレーション技術
ＭＯＳ論理デバイス
ＭＯＳメモリデバイス
ＭＯＳデバイスの将来動向と課題