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Siから新材料への新展開 設計技術シリーズ
科学情報出版 西村書店(取次・東京) 田中保宣
点
第1章 パワーデバイスの基礎第2章 SiCパワーデバイス第3章 GaNパワーデバイス第4章 Ga2O3パワーデバイス第5章 ダイヤモンドパワーデバイス第6章 ワイドバンドギャップ半導体のための実装技術
本書は、ワイドバンドギャップ 半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSi パワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者を著者に迎え編集したものです。炭化ケイ素(SiC) に代表されるワイドバンドギャップ半導体は、Si と比較して高い絶縁破壊耐性、熱伝導率など、パワー半導体材料として要求される優れた物性を有しているため、Si パワーデバイスに置き換わる次世代パワー半導体材料として期待されています。2020 年現在、既に実用化の適用範囲を広げつつあるSiC パワーデバイスや、活発に研究開発が行われている窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、更にはダイヤモンドなど、SiCに続く半導体材料・デバイスについて解説しています。
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1位
又吉直樹
価格:1,320円(本体1,200円+税)
【2015年03月発売】
一覧を見る
[BOOKデータベースより]
第1章 パワーデバイスの基礎
[日販商品データベースより]第2章 SiCパワーデバイス
第3章 GaNパワーデバイス
第4章 Ga2O3パワーデバイス
第5章 ダイヤモンドパワーデバイス
第6章 ワイドバンドギャップ半導体のための実装技術
本書は、ワイドバンドギャップ 半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSi パワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者を著者に迎え編集したものです。
炭化ケイ素(SiC) に代表されるワイドバンドギャップ半導体は、Si と比較して高い絶縁破壊耐性、熱伝導率など、パワー半導体材料として要求される優れた物性を有しているため、Si パワーデバイスに置き換わる次世代パワー半導体材料として期待されています。2020 年現在、既に実用化の適用範囲を広げつつあるSiC パワーデバイスや、活発に研究開発が行われている窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、更にはダイヤモンドなど、SiCに続く半導体材料・デバイスについて解説しています。