ワイドギャップ半導体の研究

Ｓｉの限界を打破するＳｉＣ／ＧａＮパワー・デバイスの普及が目前に！
グリーン・エレクトロニクス　ｎｏ．９

ＣＱ出版
トランジスタ技術ｓｐｅｃｉａｌ編集部　

• 価格: 2,420円（本体2,200円＋税）
• 発行年月: 2012年08月
• 判型: Ｂ５
• ISBN: 9784789848398

内容情報

[BOOKデータベースより]

電子機器のとどまることのない発展により、電力使用量は拡大の一途です。あらゆる電子機器において、省エネルギーが切望されています。本シリーズでは、エレクトロニクス技術について、エネルギーを扱うという観点からアプローチします。具体的には、電源回路、発電、電力変換、モータ駆動、照明などについて扱います。地球環境にやさしいエレクトロニクスの技術情報を紹介していきます。

Ｓｉの限界を打破するＳｉＣ／ＧａＮ半導体パワー・デバイスの普及が目前に！特集ワイドギャップ半導体の研究（新しいワイドギャップ半導体が世界を変える　パワー・エレクトロニクス用半導体デバイスの重要性；スイッチング素子としての応用面から見た　パワー・エレクトロニクス用半導体の性能指標；パワー・デバイスの動作原理を理解するために　半導体デバイスの基礎知識；パワー・デバイスで最も重要な性能指標　耐圧とオン抵抗のトレードオフ　ほか）
ＧＥ　Ａｒｔｉｃｌｅｓ（シリコン・カーバイド半導体によるアプリケーション　ＳｉＣ　ＪＦＥＴで作るオーディオ・アンプ；高効率で低ノイズな電源回路を実現できる　ＰＦＣ機能を備えたＬＬＣコントローラＩＣ　ＰＬＣ８１０ＰＧ；切り忘れ防止、タコ足による過電流検出、待機電力チェック　無駄減らし効果が目に見える三つの消費電力メータ）