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基礎理論とプロセス技術 Semiconductor devices.2nd ed.
産業図書 S.M.シー 南日康夫 川辺光央 長谷川文夫
点
本書は、最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書である。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際が集積回路に重点をおきつつ述べられている。
第1部 半導体物理(エネルギーバンドと熱平衡状態におけるキャリア密度;キャリアの輸送現象)第2部 半導体デバイス(p‐n接合;バイポーラ・トランジスタとその関連デバイス;MOSFETと関連デバイス ほか)第3部 半導体技術(結晶成長とエピタキシィ;薄膜の形成;リソグラフィとエッチング ほか)
最近の半導体デバイス物理と作製技術を網羅した入門書。旧版の内容の50%以上を改訂、更新。デバイス物理の基礎的な部分をよりわかりやすくし、さらに最近のデバイスを理解するうえで必要な新知識を追加。
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[BOOKデータベースより]
本書は、最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書である。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際が集積回路に重点をおきつつ述べられている。
第1部 半導体物理(エネルギーバンドと熱平衡状態におけるキャリア密度;キャリアの輸送現象)
[日販商品データベースより]第2部 半導体デバイス(p‐n接合;バイポーラ・トランジスタとその関連デバイス;MOSFETと関連デバイス ほか)
第3部 半導体技術(結晶成長とエピタキシィ;薄膜の形成;リソグラフィとエッチング ほか)
最近の半導体デバイス物理と作製技術を網羅した入門書。旧版の内容の50%以上を改訂、更新。デバイス物理の基礎的な部分をよりわかりやすくし、さらに最近のデバイスを理解するうえで必要な新知識を追加。