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MOSFET modeling & BSIM 3 user’s guide.
丸善出版 ユーファ・チェン チェンミング・ヒュー 三洋電機株式会社 鳥谷部達
LSIデバイス技術はナノメーター領域に近づいているが、本書は、この回路シミュレーションモデルの決定版といわれているBSIM3についての解説書である。デバイス研究者、回路設計者、デバイス技術者の実用書としてのみならず、回路設計・デバイス設計関連の研究室に在籍する学部4年生〜大学院生らの参考書としても有用。さらに、LSIデバイス技術者の、BSIM3の研修テキストとして最適である。
序論現代のMOSFETにおける重要な物理現象しきい値電圧モデルI‐Vモデルキャパシタンスモデル基板電流モデルノイズモデルソース・ドレイン寄生素子モデル温度依存性モデル非準静的(Non‐quasi Static:NQS)モデルBSIM3v3モデルの仕組みモデルのテストモデルパラメータ抽出RF,および他分野へのコンパクトモデルの応用
ナノメーター領域に近づいているLSIデバイスの技術。本書はLSIデバイスの回路シミュレーションモデルのバイブルといわれている原著の翻訳版。デバイス技術者、回路設計者必携の書。
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[BOOKデータベースより]
LSIデバイス技術はナノメーター領域に近づいているが、本書は、この回路シミュレーションモデルの決定版といわれているBSIM3についての解説書である。デバイス研究者、回路設計者、デバイス技術者の実用書としてのみならず、回路設計・デバイス設計関連の研究室に在籍する学部4年生〜大学院生らの参考書としても有用。さらに、LSIデバイス技術者の、BSIM3の研修テキストとして最適である。
序論
[日販商品データベースより]現代のMOSFETにおける重要な物理現象
しきい値電圧モデル
I‐Vモデル
キャパシタンスモデル
基板電流モデル
ノイズモデル
ソース・ドレイン寄生素子モデル
温度依存性モデル
非準静的(Non‐quasi Static:NQS)モデル
BSIM3v3モデルの仕組み
モデルのテスト
モデルパラメータ抽出
RF,および他分野へのコンパクトモデルの応用
ナノメーター領域に近づいているLSIデバイスの技術。本書はLSIデバイスの回路シミュレーションモデルのバイブルといわれている原著の翻訳版。デバイス技術者、回路設計者必携の書。