�V族窒化物半導体

アドバンストエレクトロニクスシリーズ　１ー２１

培風館
赤崎勇　

• 価格: 6,380円（本体5,800円＋税）
• 発行年月: 1999年12月
• 判型: Ａ５
• ISBN: 9784563036218

内容情報

[BOOKデータベースより]

本書は、進展著しい３族窒化物半導体について、基礎から応用まで最新の内容をまとめたものである。１編では、３族窒化物半導体の結晶構造やエネルギー帯構造、また光学的・電気的性質など基礎物性を詳述する。２編では、本半導体研究のブレークスルーとなった様々な結晶成長技術について記述する。３編では、各種デバイスへの応用、すなわち発光ダイオード、レーザダイオード、受光デバイス、および電子デバイスなどについて、その構造、特性について詳述している。

第１編　３族窒化物半導体の物性（エネルギー帯構造―結晶構造；機械的性質・熱（力学）的性質；３族窒化物半導体の光学的・電気的特性）
第２編　３族窒化物半導体の結晶成長（結晶成長の熱力学；バルク結晶成長；ハイドライド気相成長―ＨＶＰＥ　ほか）
第３編　デバイス各論（発光ダイオード；半導体レーザ；受光デバイス　ほか）