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表面・薄膜分子設計シリーズ 11
共立出版 津田穣
序章 なぜ、レジストの研究をするのか?第1章 超LSIレジストの要件第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計第3章 ネガ型レジストの分子設計第4章 高感度化の分子設計第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計第6章 解像力向上技術
超LSIをつくるためのレジストの分子設計について、誰にでもわかりやすいよう、豊富な図と最近の実例を用いて平易に解説。
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1位
又吉直樹
価格:1,320円(本体1,200円+税)
【2015年03月発売】
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[BOOKデータベースより]
序章 なぜ、レジストの研究をするのか?
[日販商品データベースより]第1章 超LSIレジストの要件
第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
第3章 ネガ型レジストの分子設計
第4章 高感度化の分子設計
第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計
第6章 解像力向上技術
超LSIをつくるためのレジストの分子設計について、誰にでもわかりやすいよう、豊富な図と最近の実例を用いて平易に解説。