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価格：1,320円（本体1,200円＋税）
【1989年02月発売】
価格：1,980円（本体1,800円＋税）
【1997年01月発売】
価格：1,540円（本体1,400円＋税）
【2010年12月発売】
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ワイドギャップ半導体の研究
現在使用されている最先端のパワー・デバイスはＳｉ（シリコン）という半導体材料がもつ性能を、ほぼ限界まで引き出しており、Ｓｉの物性の限界から大幅な発展は困難な状況です。
そんななかで、近年、大きな注目を集めているのが、ワイド・バンド・ギャップ半導体デバイス（ワイドギャップ半導体）。
ワイドギャップ半導体は、Ｓｉに比べてパワー・エレクトロニクス応用の観点で素晴らしい物性を有しており、大きなポテンシャルを秘めています。
ワイドギャップ半導体を使えば、Ｓｉでは到底実現不可能な、低損失、高速スイッチング、高温動作が可能になります。
半導体デバイスの動作原理について説明し、なぜワイドギャップ半導体によって優れたパワー・デバイスが実現できるかを説明。
なかでも研究が進んでおり、非常に有望な材料である、炭化硅素（ＳｉＣ）と窒化ガリウム（ＧａＮ）について、それぞれの材料の特徴、基礎研究の進展具合、具体的なデバイスの開発状況について紹介。